Semiconductor divizyon Samsung Foundry te anonse ke li te kòmanse pwodiksyon chips 3nm nan faktori li nan Hwasong. Kontrèman ak jenerasyon anvan an, ki te itilize teknoloji FinFet, jeyan Koreyen an kounye a sèvi ak GAA (Gate-All-Around) achitekti tranzistò, ki siyifikativman ogmante efikasite enèji.
3nm chips ak MBCFET (Multi-Bridge-Channel) Achitekti GAA pral jwenn pi wo efikasite enèji, pami lòt bagay, pa diminye vòltaj la ekipman pou. Samsung itilize tou tranzistò nanoplat nan chips semi-conducteurs pou chipsets smartphone pèfòmans segondè.
Galeri foto
Konpare ak teknoloji nanowire, nanoplates ak chanèl pi laj pèmèt pi wo pèfòmans ak pi bon efikasite. Lè yo ajiste lajè nanoplak yo, kliyan Samsung ka adapte pèfòmans ak konsomasyon pouvwa a bezwen yo.
Ou ta ka enterese nan
Konpare ak chips 5nm, dapre Samsung, nouvo yo gen 23% pi wo pèfòmans, 45% pi ba konsomasyon enèji ak 16% pi piti zòn. 2yèm jenerasyon yo ta dwe ofri 30% pi bon pèfòmans, 50% pi wo efikasite ak yon zòn 35% pi piti.
"Samsung ap grandi rapidman pandan n ap kontinye demontre lidèchip nan aplikasyon teknoloji pwochen jenerasyon an nan manifakti. Nou vize kontinye lidèchip sa a ak premye pwosesis 3nm ak achitekti MBCFETTM. Nou pral kontinye aktivman inove nan devlopman teknoloji konpetitif ak kreye pwosesis ki ede akselere reyisit matirite teknoloji." te di Siyoung Choi, chèf biznis semiconductor Samsung a.
